quinta-feira, 1 de dezembro de 2011

RAM Estática/Ciclo de Leitura

*A saída está em alta impedância;
T0-Novo end. Nas entradas da RAM;
*Após um intervalo de tempo para que as linhas de end se estabilzem,CS’ é ativado.A RAM responde colocando os dados da posição endereçada na linha de saída em T1;
Tacc-Tempo decorrido entre a aplicação do novo end.  E o aparecimento de dados válidos na saída;
Tco- Tempo necessário para que a RAM saia de alta impedância;



Comentários:
Tas- Tempo para os decodificadores da RAM responder ao novo endereço;
Os dados devem ser mantidos na entrada da RAM por um intervalo Tds antes da desabilitação de R/W’ e CS’ EM T2 e por um tempo Tdh depois.



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